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[00278119]一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法

交易价格： 面议

所属行业： 专用化学

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201410123403.5

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：南昌航空大学

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所在地：江西南昌市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

摘要：本发明公布了一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法，先将SiC颗粒加入到镁合金熔体中，搅拌均匀，然后将合金熔体浇注到置于脉冲磁场凝固装置的模具中，使复合材料熔体在低压脉冲磁场作用下完全凝固。本发明的优点是：（1）绿色环保、工艺简单、操作方便、易于控制，成本和投资少，该方法只需要对脉冲磁场的强度和合金的凝固速率进行控制；（2）无污染，脉冲磁场不直接接触合金熔体，不会对熔体产生污染，也不会对环境产生污染。

[00278119]一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法

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