[00279160]一种基于层状钴氧化物的低温测温元件
交易价格：
面议
所属行业：
其他化学化工
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710421121.7
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
昆明理工大学
进入空间
所在地：云南昆明市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开一种基于层状钴氧化物的低温测温元件，包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ，薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长，在薄膜热敏元件上表面依次设置有等距排列的金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ，金属电极Ⅰ、金属电极Ⅳ通过导线Ⅰ连接恒流源输出端，金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ通过导线Ⅱ连接电压表输入端，薄膜热敏元件为层状钴氧化物薄膜；本发明测温元件在0℃~‑200℃下电阻温度系数大，电阻温度关系线性好，物理化学性能稳定、成本低廉。
本发明公开一种基于层状钴氧化物的低温测温元件，包括单晶基底、薄膜热敏元件、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ、导线Ⅰ、导线Ⅱ，薄膜热敏元件在单晶基底上沿c轴外延生长，在薄膜热敏元件上表面依次设置有等距排列的金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ、金属电极Ⅳ，金属电极Ⅰ、金属电极Ⅳ通过导线Ⅰ连接恒流源输出端，金属电极Ⅱ、金属电极Ⅲ通过导线Ⅱ连接电压表输入端，薄膜热敏元件为层状钴氧化物薄膜；本发明测温元件在0℃~‑200℃下电阻温度系数大，电阻温度关系线性好，物理化学性能稳定、成本低廉。
