[00279319]一种掺银多晶陶瓷的制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他电子信息
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201710265908.9
交易方式:
技术转让
技术转让
技术入股
联系人:
昆明理工大学
进入空间
所在地:云南昆明市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种掺银多晶陶瓷的制备方法,属于电子陶瓷技术领域。本发明所述方法为将La0.7Ca0.25Sr0.05MnO3干凝胶倒入玛瑙研钵中充分研磨,然后装入刚玉坩埚并放入箱式炉中进行预烧,将预烧后的粉末掺入AgO2倒入玛瑙研钵中充分研磨后压制成型,然后放在箱式炉中烧结,得到相应的掺银La0.7Ca0.25Sr0.05MnO3多晶块材。采用本发明制备的掺银La0.7Ca0.25Sr0.25MnO3多晶陶瓷金属‑绝缘体转变温度(Tp)更接近室温,电阻温度系数较大,能够更广泛的应用于近室温磁电子器件、超巨磁电阻测辐射热仪(Bolometer)、红外探测器等器件。
本发明公开了一种掺银多晶陶瓷的制备方法,属于电子陶瓷技术领域。本发明所述方法为将La0.7Ca0.25Sr0.05MnO3干凝胶倒入玛瑙研钵中充分研磨,然后装入刚玉坩埚并放入箱式炉中进行预烧,将预烧后的粉末掺入AgO2倒入玛瑙研钵中充分研磨后压制成型,然后放在箱式炉中烧结,得到相应的掺银La0.7Ca0.25Sr0.05MnO3多晶块材。采用本发明制备的掺银La0.7Ca0.25Sr0.25MnO3多晶陶瓷金属‑绝缘体转变温度(Tp)更接近室温,电阻温度系数较大,能够更广泛的应用于近室温磁电子器件、超巨磁电阻测辐射热仪(Bolometer)、红外探测器等器件。