[00280483]一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法
交易价格：
面议
所属行业：
有色金属开采冶炼
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201611064731.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
昆明理工大学
进入空间
所在地：云南昆明市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法，所述制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法将含A卤代物和含B金属化合物溶解于溶剂M中，含A卤代物和含B金属化合物的摩尔比为1：0.1～2；配置成浓度为0.05‑5.0mol/L钙钛矿溶液；向基片P上滴加钙钛矿溶液，盖上基片Q；利用基片P与基片Q两片基片，控制钙钛矿单晶的生长方向，使晶体在基片P与基片Q两基片之间的缝隙生长，即钙钛矿单晶只能延两个方向生长，随着两基片之间钙钛矿溶液中溶剂的蒸发制得钙钛矿单晶薄膜。本发明可制备出较高质量、较大尺寸的钙钛矿单晶薄膜；方法工艺简单、可操作性强、可重复性高。
本发明公开了一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法，所述制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法将含A卤代物和含B金属化合物溶解于溶剂M中，含A卤代物和含B金属化合物的摩尔比为1：0.1～2；配置成浓度为0.05‑5.0mol/L钙钛矿溶液；向基片P上滴加钙钛矿溶液，盖上基片Q；利用基片P与基片Q两片基片，控制钙钛矿单晶的生长方向，使晶体在基片P与基片Q两基片之间的缝隙生长，即钙钛矿单晶只能延两个方向生长，随着两基片之间钙钛矿溶液中溶剂的蒸发制得钙钛矿单晶薄膜。本发明可制备出较高质量、较大尺寸的钙钛矿单晶薄膜；方法工艺简单、可操作性强、可重复性高。
