[00284443]一种钴离子掺杂的钨锰铁矿微波介质陶瓷及制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
建筑材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610174896.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
济南大学
进入空间
所在地：山东济南市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种钴离子掺杂的钨锰铁矿微波介质陶瓷及制备方法，其组成为Zn1‑xCoxZrNb2O8，其中0≤x≤0.1；先将ZnO、ZrO2、Nb2O5和CoO按化学式配料，经过混料、烘干、过筛，预烧、造粒、压制成型等工艺后，于1100~1200℃烧结，制得掺杂离子后的Zn1‑xCoxZrNb2O8陶瓷。本发明采用了钴离子掺杂ZnZrNb2O8中的锌离子，在保证陶瓷微波介电性能稳定的情况下，够显著降低陶瓷材料烧结温度。制成陶瓷的介电常数达到25.73~27.26，品质因数Q·f达到55,600~61,000 GHz，谐振频率温度系数为‑11.3~‑15.2 ppm/℃。本发明制备工艺简单，使用设备廉价，过程环保，在工业上有着极大的应用价值。
摘要：本发明公开了一种钴离子掺杂的钨锰铁矿微波介质陶瓷及制备方法，其组成为Zn1‑xCoxZrNb2O8，其中0≤x≤0.1；先将ZnO、ZrO2、Nb2O5和CoO按化学式配料，经过混料、烘干、过筛，预烧、造粒、压制成型等工艺后，于1100~1200℃烧结，制得掺杂离子后的Zn1‑xCoxZrNb2O8陶瓷。本发明采用了钴离子掺杂ZnZrNb2O8中的锌离子，在保证陶瓷微波介电性能稳定的情况下，够显著降低陶瓷材料烧结温度。制成陶瓷的介电常数达到25.73~27.26，品质因数Q·f达到55,600~61,000 GHz，谐振频率温度系数为‑11.3~‑15.2 ppm/℃。本发明制备工艺简单，使用设备廉价，过程环保，在工业上有着极大的应用价值。
