[00284919]同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器
交易价格：
面议
所属行业：
检测仪器
类型：
实用新型专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201620589017.X
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
吉林大学
进入空间
所在地：吉林长春市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本实用新型涉及一种同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器，是由直流电源经负载与高压衰减探头示波器连接，负载串接三个SICMOSFET，SICMOSFETⅠ分别与TVS动态均压电路、R1～R2静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅠ连接，SICMOSFETⅡ分别与TVS动态均压电路、R4～R5静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅡ连接，SICMOSFETⅢ分别与TVS动态均压电路、R7～R8静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅢ连接构成。本实用新型与现有的分高压脉冲发生器相比，具有无噪声，无电磁干扰，结构简单，体积小，重量轻，安装方便，成本低廉。可在电场杀菌技术、水处理技术和高压绝缘技术等领域广泛应用。
摘要：本实用新型涉及一种同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器，是由直流电源经负载与高压衰减探头示波器连接，负载串接三个SICMOSFET，SICMOSFETⅠ分别与TVS动态均压电路、R1～R2静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅠ连接，SICMOSFETⅡ分别与TVS动态均压电路、R4～R5静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅡ连接，SICMOSFETⅢ分别与TVS动态均压电路、R7～R8静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅢ连接构成。本实用新型与现有的分高压脉冲发生器相比，具有无噪声，无电磁干扰，结构简单，体积小，重量轻，安装方便，成本低廉。可在电场杀菌技术、水处理技术和高压绝缘技术等领域广泛应用。
