X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
帮助中心 | 关于我们
欢迎来到辽阳市科技创新服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00291123]一种耐高温纳米硅薄膜二极管及其制备技术

交易价格: 面议

所属行业: 合成化学

类型: 非专利

技术成熟度: 正在研发

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 南京航空航天大学

进入空间

所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术,它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝,对通入生长腔体中的气体进行快速分解,通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数,可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备,制备的纳米硅薄膜大面积均匀,载流子浓度和迁移率可控性好。 该成果主要面向微电子器件制造行业,如集成电路、大功率器件、特种环境探测器和传感器、光伏产业、发光器件等相关领域。 该成果的耐温指标国内外领先,技术具有独创性,仅在微电子行业就具有巨大的预期效益。对于国家级项目,可以采用合作研发、共同申报国家项目的形式满足资金投入需求;对于行业需求,则可以采用投入研发资金、技术许可等各种灵活措施。
该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术,它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝,对通入生长腔体中的气体进行快速分解,通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数,可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备,制备的纳米硅薄膜大面积均匀,载流子浓度和迁移率可控性好。 该成果主要面向微电子器件制造行业,如集成电路、大功率器件、特种环境探测器和传感器、光伏产业、发光器件等相关领域。 该成果的耐温指标国内外领先,技术具有独创性,仅在微电子行业就具有巨大的预期效益。对于国家级项目,可以采用合作研发、共同申报国家项目的形式满足资金投入需求;对于行业需求,则可以采用投入研发资金、技术许可等各种灵活措施。

推荐服务:

主办单位:辽阳市科学技术局

技术支持单位:科易网

辽ICP备16017206号-1

辽公网安备 21100302203138号

关于我们

平台简介

联系我们

客服咨询

400-649-1633

工作日:08:30-21:00

节假日:08:30-12:00

13:30-17:30