[00291707]一种 CuInS2 纳米晶半导体薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN2009102363047
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
北京化工大学
进入空间
所在地：北京北京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质，以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液，并调节 pH＝1.5-3.5 后，在搅拌条件下进行电沉积，而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min，得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强，重复好，所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质，适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
本技术属于能源材料领域。本技术分别以氯化铜、氯化铟、硫代硫酸钠和氯化锂作为铜、铟、硫源和支持电解质，以邻苯二甲酸氢钾兼作络合剂和 pH 缓冲剂配制电沉积液，并调节 pH＝1.5-3.5 后，在搅拌条件下进行电沉积，而后将所得前躯体薄膜在惰性气氛保护条件下于 250-500℃下恒温 30-180min，得到 CuInS2 纳米晶半导体薄膜。本技术所提供的方法可控性强，重复好，所制备的 CuInS2 纳米晶半导体薄膜无杂质，适用于薄膜太阳能电池光吸收层材料。
