[00292306]一种ZnO单晶纳米片的生长方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201510488904.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
武汉大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种ZnO单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延，在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的ZnO单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔斯沉积有利于ZnO在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度和退火温度，能够改变ZnO的择优生长方向，使得ZnO优先于面内生长，改变传统ZnO[001]方向择优生长的性质，不再生长成柱状ZnO，而生长出ZnO平面结构，有利于与传统的集成电路工艺整合和兼容。而且该方法生长出的ZnO纳米片和衬底结合力弱，易于转移到其他衬底上进行半导体纳米器件的加工。
本发明公开了一种ZnO单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延，在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的ZnO单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔斯沉积有利于ZnO在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度和退火温度，能够改变ZnO的择优生长方向，使得ZnO优先于面内生长，改变传统ZnO[001]方向择优生长的性质，不再生长成柱状ZnO，而生长出ZnO平面结构，有利于与传统的集成电路工艺整合和兼容。而且该方法生长出的ZnO纳米片和衬底结合力弱，易于转移到其他衬底上进行半导体纳米器件的加工。
