技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法，其包括以下步骤S1采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜；S2转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板；S3将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理，得到待刻蚀样品；S4将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀；S5去除残留的单层PS小球掩模板，得到有序的铁电纳米点阵列。该制备方法简单、模板清除方便，且制得的铁电纳米点保存了铁电薄膜优异的外延性和铁电性，适合大面积制备。
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