[00294655]InGaAs薄膜
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
实用新型专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201220055399.X
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华南理工大学
进入空间
所在地：广东广州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本实用新型公开了InGaAs薄膜，依次包括GaAs衬底和GaAs缓冲层、In0.6Ga0.4As大失配缓冲层、In0.3Ga0.7As外延薄膜。其中In0.6Ga0.4As大失配缓冲层和In0.3Ga0.7As外延层都可采用分子束外延生长或金属有机气相沉积技术制备，通过该大失配缓冲层降低由于失配应力造成的各类缺陷，所制备的In0.3Ga0.7As外延层缺陷密度较低，具有缓冲层结构简单、外延生长过程简便、In0.3Ga0.7As外延薄膜缺陷密度低、晶体质量高等优点。
摘要：本实用新型公开了InGaAs薄膜，依次包括GaAs衬底和GaAs缓冲层、In0.6Ga0.4As大失配缓冲层、In0.3Ga0.7As外延薄膜。其中In0.6Ga0.4As大失配缓冲层和In0.3Ga0.7As外延层都可采用分子束外延生长或金属有机气相沉积技术制备，通过该大失配缓冲层降低由于失配应力造成的各类缺陷，所制备的In0.3Ga0.7As外延层缺陷密度较低，具有缓冲层结构简单、外延生长过程简便、In0.3Ga0.7As外延薄膜缺陷密度低、晶体质量高等优点。
