[00295603]一种磁控和脉冲激光共沉积装置
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
实用新型专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200920101609.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
河北大学
进入空间
所在地：河北保定市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本实用新型提供一种磁控和脉冲激光共沉积装置，其特征在于：在一个真空腔体中设置有磁控溅射靶材和脉冲激光沉积靶材和一个共用的样品台，样品台上固定沉积基片，真空腔体上开设石英窗，真空腔体外设置有用于脉冲激光沉积的激光器；磁控溅射靶材的调位机构；脉冲激光沉积靶材的转动控制机构和样品台的转动控制机构。本实用新型可以在同一套物理气相沉积系统中同时进行磁控溅射和脉冲激光沉积，充分发挥磁控溅射和脉冲激光沉积各自的优势，利用磁控溅射生长纳米薄膜结构，且在其生长的过程中利用脉冲激光沉积共溅射出一些零维或一维的纳米结构，从而实现零-三维或一-三维纳米复合纳米结构的生长。
摘要：本实用新型提供一种磁控和脉冲激光共沉积装置，其特征在于：在一个真空腔体中设置有磁控溅射靶材和脉冲激光沉积靶材和一个共用的样品台，样品台上固定沉积基片，真空腔体上开设石英窗，真空腔体外设置有用于脉冲激光沉积的激光器；磁控溅射靶材的调位机构；脉冲激光沉积靶材的转动控制机构和样品台的转动控制机构。本实用新型可以在同一套物理气相沉积系统中同时进行磁控溅射和脉冲激光沉积，充分发挥磁控溅射和脉冲激光沉积各自的优势，利用磁控溅射生长纳米薄膜结构，且在其生长的过程中利用脉冲激光沉积共溅射出一些零维或一维的纳米结构，从而实现零-三维或一-三维纳米复合纳米结构的生长。
