[00298039]一种仿壁虎脚微纳分级结构及其制造工艺
交易价格：
面议
所属行业：
自动化元件
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410017421.5
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华中科技大学
进入空间
所在地：湖北武汉市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺，包括：S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜；S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻，制备出圆孔阵列图形；S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀，将光刻胶上的图形转移到SiO2层；S4、在样品表面镀一层Cu膜；S5、在丙酮或乙醇中进行超声，通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu；S6、利用CVD-VLS生长工艺，以上述工艺制备的Cu为催化剂，以SiCl4为硅源，以H2为载气，生长Si微米线阵列；S7、在硅线表面镀一层Cu膜；S8、利用CVD-VLS生长工艺，以S7制备的Cu膜为催化剂，以SiCl4为硅源，以H2为载气，在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线，即一种仿壁虎脚微纳分级结构，为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
摘要：本发明公开了一种用于仿壁虎脚微纳分级结构的制造工艺，包括：S1、使用LPCVD设备在洁净的硅片上热生长一层SiO2薄膜；S2、在有SiO2层的硅片表面旋涂光刻胶并进行光刻，制备出圆孔阵列图形；S3、使用缓冲氢氟酸溶液对暴露出的SiO2进行刻蚀，将光刻胶上的图形转移到SiO2层；S4、在样品表面镀一层Cu膜；S5、在丙酮或乙醇中进行超声，通过溶脱剥离工艺去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu；S6、利用CVD-VLS生长工艺，以上述工艺制备的Cu为催化剂，以SiCl4为硅源，以H2为载气，生长Si微米线阵列；S7、在硅线表面镀一层Cu膜；S8、利用CVD-VLS生长工艺，以S7制备的Cu膜为催化剂，以SiCl4为硅源，以H2为载气，在Si微米线表面生长Si纳米线。本发明提供的微纳分级结构中Si微米线的表面分布有Si纳米线，即一种仿壁虎脚微纳分级结构，为干性黏附材料的设计与制造提供了一种解决方案。
