[00298930]卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜设备
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
实用新型专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201520286251.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华东师范大学
进入空间
所在地：上海上海市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本实用新型涉及真空镀膜技术领域，具体地说是一种卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜设备。其特征在于：镀膜室的一端连接放卷室，镀膜室的另一端连接收卷室，并且镀膜室与放卷室的连接处及镀膜室与收卷室的连接处分别设有可通过柔性基片的狭长缝隙；所述的镀膜室的中央设有冷却辊，位于冷却辊的前方分别设有线性等离子体源、磁控溅射阴极及柱状多弧源，并且线性等离子体源、磁控溅射阴极及柱状多弧源分别采用挡板隔开。同现有技术相比，线性等离子体源、磁控溅射阴极、柱状多弧源所对应的腔体，采用半开放式，分别独立通气，半开放式腔体气压和气体组分适当可调，有利于沉积出质量优良的薄膜，并很好节约设备投入成本。
摘要：本实用新型涉及真空镀膜技术领域，具体地说是一种卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜设备。其特征在于：镀膜室的一端连接放卷室，镀膜室的另一端连接收卷室，并且镀膜室与放卷室的连接处及镀膜室与收卷室的连接处分别设有可通过柔性基片的狭长缝隙；所述的镀膜室的中央设有冷却辊，位于冷却辊的前方分别设有线性等离子体源、磁控溅射阴极及柱状多弧源，并且线性等离子体源、磁控溅射阴极及柱状多弧源分别采用挡板隔开。同现有技术相比，线性等离子体源、磁控溅射阴极、柱状多弧源所对应的腔体，采用半开放式，分别独立通气，半开放式腔体气压和气体组分适当可调，有利于沉积出质量优良的薄膜，并很好节约设备投入成本。
