[00300485]高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他化学化工
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710516872.7
交易方式：
技术转让
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联系人：
杭州电子科技大学
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所在地：浙江杭州市
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对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法，制备方法为先制备油酸镉(Cd(OA)2)、油酸锌(Zn(OA)2)和Se/TBP(三丁基膦)前驱溶液；然后取制备好的Cd(OA)2、Zn(OA)2前驱溶液和十八烯在氩气环境下升温至97‑103℃，在此温度下搅拌20‑25分钟，随后升温至280‑320℃停留30‑60秒；随后注入制备好的Se/TBP溶液，并在此温度下反应5‑8分钟后降至室温，得到CdZnSe纳米晶体。本发明制备方法简单、易操作，制备的CdZnSe纳米晶体光学性质优异，其荧光量子产率最高可达60％，荧光峰位大致位于530nm，荧光半高宽约为18nm。且能实现克量级的纳米晶体的制备。
摘要：本发明公开了一种高色纯度的绿光半导体纳米晶体的制备方法，制备方法为先制备油酸镉(Cd(OA)2)、油酸锌(Zn(OA)2)和Se/TBP(三丁基膦)前驱溶液；然后取制备好的Cd(OA)2、Zn(OA)2前驱溶液和十八烯在氩气环境下升温至97‑103℃，在此温度下搅拌20‑25分钟，随后升温至280‑320℃停留30‑60秒；随后注入制备好的Se/TBP溶液，并在此温度下反应5‑8分钟后降至室温，得到CdZnSe纳米晶体。本发明制备方法简单、易操作，制备的CdZnSe纳米晶体光学性质优异，其荧光量子产率最高可达60％，荧光峰位大致位于530nm，荧光半高宽约为18nm。且能实现克量级的纳米晶体的制备。
