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[00303682]一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 建筑材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201410691071.0

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 桂林电子科技大学

进入空间

所在地:广西壮族自治区桂林市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

标题一

这是第一段文字。

这是第二段文字。

标题二

这是第三段文字。

这是第四段文字。

标题三

这是第五段文字。

这是第六段文字。

标题四

这是第七段文字。

这是第八段文字。

标题五

这是第九段文字。

这是第十段文字。

本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中txuyzm表示摩尔分数,且0<t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0<u<0.05,0<y<0.05,0<z<0.05,0<m<0.05。

其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。

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本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中txuyzm表示摩尔分数,且0<t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0<u<0.05,0<y<0.05,0<z<0.05,0<m<0.05。

其制备方法包括按组成通式配料,球磨,成型素片,排胶,烧结等工序,采用降低烧结温度、快速升降温,高压氧等技术,降低Bi元素挥发,抑制氧空位产生,防止降温过程中Fe3+离子变价,从而达到降低介电损耗的目的,制备出了介电损耗低于0.5%的高温无铅压电陶瓷,使该体系能实际应用于高温压电领域。

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