X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
帮助中心 | 关于我们
欢迎来到辽阳市科技创新服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00304390]一种基于忆阻器的Duffing‑vanderPol振荡电路

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201310719512.9

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 广西大学

进入空间

所在地:广西壮族自治区南宁市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

本发明涉及一种基于忆阻器的Duffing‑vanderPol振荡电路,该电路包括激励电源e(t)、电阻R、第一电容C1、第二电容C2和忆阻器M;

所述激励电源e(t)的一端与电阻R的一端连接;所述电阻R的另一端分别与第一电容C1的一端、第二电容C2的一端连接;

所述第二电容C2的另一端与忆阻器M的一端连接;所述忆阻器M的另一端、第一电容C1的另一端均与激励电源e(t)的另一端连接。

本发明为一个二阶振荡电路,采用连续的非线性电阻,具有电路结构简单,参数调节方便,可以完整地保留Duffing‑vanderPol振子动力学特性的优点。

本发明涉及一种基于忆阻器的Duffing‑vanderPol振荡电路,该电路包括激励电源e(t)、电阻R、第一电容C1、第二电容C2和忆阻器M;

所述激励电源e(t)的一端与电阻R的一端连接;所述电阻R的另一端分别与第一电容C1的一端、第二电容C2的一端连接;

所述第二电容C2的另一端与忆阻器M的一端连接;所述忆阻器M的另一端、第一电容C1的另一端均与激励电源e(t)的另一端连接。

本发明为一个二阶振荡电路,采用连续的非线性电阻,具有电路结构简单,参数调节方便,可以完整地保留Duffing‑vanderPol振子动力学特性的优点。

推荐服务:

主办单位:辽阳市科学技术局

技术支持单位:科易网

辽ICP备16017206号-1

辽公网安备 21100302203138号

关于我们

平台简介

联系我们

客服咨询

400-649-1633

工作日:08:30-21:00

节假日:08:30-12:00

13:30-17:30