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[00311952]氧化铜自组装多级结构阵列材料的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 化工生产

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710018053.X

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 广西大学

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所在地:广西壮族自治区南宁市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种氧化铜自组装多级结构阵列材料的制备方法,制备步骤如下配制含表面活性剂和直链醇的有机溶液;配制含氧化剂和碱性试剂的水相反应液;将有机溶液和水相反应液超声分散得到均匀溶液;放入预先清洗处理的铜基底反应,制得前驱物氢氧化铜自组装多级结构阵列;经过热处理后可直接作为电极材料。本发明氧化铜自组装多级结构阵列材料的制备方法,能够利用直链醇对特定晶面的选择性吸附,从而调控晶体的相对生长速率,使晶体生长显出各向异性;同时将界面反应过程和晶体生长过程限制在铜基底表面,使其调控更加精准和细致;所得氧化铜多级结构阵列作为电极材料,充分发挥了多级结构与有序阵列结构的协同作用优势。
本发明公开了一种氧化铜自组装多级结构阵列材料的制备方法,制备步骤如下配制含表面活性剂和直链醇的有机溶液;配制含氧化剂和碱性试剂的水相反应液;将有机溶液和水相反应液超声分散得到均匀溶液;放入预先清洗处理的铜基底反应,制得前驱物氢氧化铜自组装多级结构阵列;经过热处理后可直接作为电极材料。本发明氧化铜自组装多级结构阵列材料的制备方法,能够利用直链醇对特定晶面的选择性吸附,从而调控晶体的相对生长速率,使晶体生长显出各向异性;同时将界面反应过程和晶体生长过程限制在铜基底表面,使其调控更加精准和细致;所得氧化铜多级结构阵列作为电极材料,充分发挥了多级结构与有序阵列结构的协同作用优势。

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