[00316253]铋系纳米材料制备技术
联系人：潘明财
所在地：江苏南京市
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技术详细介绍
纳米材料特有的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面/界面效应和宏观量子隧 穿效应，以及半导体纳米粒子的库仑堵塞和量子隧穿效应、介电限域效应、Fano 效应、Kondo效应等，使得半导体纳米材料表现出与宏观材料具有显著差异的热、 磁、电、声、光等性能。金属铋是一种重要的半导体功能掺杂材料，尤其秘系氧 化物半导体材料表现出明显优异的高介电性、铁电性、催化性、超导性等。
技术指标
该大学研发的具有独立知识产权的 从金属秘直接电解合成秘系纳米材料的可控合成工艺，工艺流程短，操作简单， 电解液廉价易得、可重复使用，与环境有很好的相容性，能够满足工业化生产所 要求的低成本、高效益和高环保。制备的Bi纳米片，尺寸大约75nm，是重要的 原材料；秘氯氧化物BiOCl单晶纳米片，平均厚度10nm，当量直径30-60nm，两 个明显的发光带分别位于3. 12eV和2. 53eV，可见光照下具有比目前市场上广泛 采用二氧化钛明显优越光催化活性；Bi24O31Cl10单晶纳米片自组装成的纳米花， 片的平均厚度10-20nm，在3. 64eV处表现出明显明显的紫外光发射；非计量氧 化秘Bi2O2.33纳米片，片的平均厚度10-20nm，在3. 44eV处表现出明显的紫外光 发射，且物理、化学稳定性好。