[00331806]一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201210117861.9
交易方式：
资料待完善
联系人：
福州大学
进入空间
所在地：福建福州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，具体步骤为：首先，在平面绝缘基板上制备高度为10纳米到几百纳米，垂直截面图形可以是矩形、三角形或梯形的列状图案阵列；然后，在制备有列状图案的平面绝缘基板上，朝一倾斜方向沉积一层10纳米至500纳米的SED电子发射源薄膜；由于被列状图案阻挡的部分未被沉积到薄膜或者沉积到极为薄的薄膜；因此，直接或者经过后续干法刻蚀或湿法刻蚀，产生几纳米到几十纳米宽的间隙；最后，在所得基板上制作SED电子发射电极阵列。该SED电子发射源制作工艺十分简单，且产生电子发射的纳米间隙均匀可控。
摘要：本发明公开了一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，具体步骤为：首先，在平面绝缘基板上制备高度为10纳米到几百纳米，垂直截面图形可以是矩形、三角形或梯形的列状图案阵列；然后，在制备有列状图案的平面绝缘基板上，朝一倾斜方向沉积一层10纳米至500纳米的SED电子发射源薄膜；由于被列状图案阻挡的部分未被沉积到薄膜或者沉积到极为薄的薄膜；因此，直接或者经过后续干法刻蚀或湿法刻蚀，产生几纳米到几十纳米宽的间隙；最后，在所得基板上制作SED电子发射电极阵列。该SED电子发射源制作工艺十分简单，且产生电子发射的纳米间隙均匀可控。
