[00332971]一种低成本、快速制备高导热Si3N4陶瓷的方法
交易价格：
面议
所属行业：
建筑材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201410318834.7
交易方式：
资料待完善
联系人：
厦门立德软件公司
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技术详细介绍
本发明公开了一种低成本、快速制备高导热Si3N4陶瓷的方法，本发明以Si粉为原料，以ZrO2粉为氮化催化剂，以ZrO2-MgO-Re2O3为烧结助剂，其中Re2O3为稀土氧化物，Si、ZrO2和MgO-Re2O3按质量分数比经混料、干燥后得到Si-ZrO2-MgO-Re2O3混合粉体；混合粉体通过两步保温法，无压烧结获得高导热Si3N4陶瓷；该方法所制备的陶瓷材料的相对密度高于95％，硬度为8～20GPa，断裂韧性为3～8MPa·m1/2，抗弯强度为200～1000Mpa，热导率为20～100W·m-1·K-1；本发明通过引入ZrO2催化剂加快Si粉氮化，引入ZrO2-MgO-Re2O3改善Si3N4致密化，实现了低成本、快速制备高导热Si3N4陶瓷。
本发明公开了一种低成本、快速制备高导热Si3N4陶瓷的方法，本发明以Si粉为原料，以ZrO2粉为氮化催化剂，以ZrO2-MgO-Re2O3为烧结助剂，其中Re2O3为稀土氧化物，Si、ZrO2和MgO-Re2O3按质量分数比经混料、干燥后得到Si-ZrO2-MgO-Re2O3混合粉体；混合粉体通过两步保温法，无压烧结获得高导热Si3N4陶瓷；该方法所制备的陶瓷材料的相对密度高于95％，硬度为8～20GPa，断裂韧性为3～8MPa·m1/2，抗弯强度为200～1000Mpa，热导率为20～100W·m-1·K-1；本发明通过引入ZrO2催化剂加快Si粉氮化，引入ZrO2-MgO-Re2O3改善Si3N4致密化，实现了低成本、快速制备高导热Si3N4陶瓷。
