[00335429]一种可掺杂的钼酸锶纳米材料制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201610093497.5
交易方式：
资料待完善
联系人：
安徽大学
进入空间
所在地：安徽合肥市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种可掺杂的钼酸锶纳米材料制备方法，由有机金属锶盐和有机金属钼盐在高纯氮气保护气氛下，在60℃～180℃下反应6～8小时，得到纯相钼酸锶。本发明可掺杂的钼酸锶纳米材料比常规方法制备的钼酸锶具有极小的晶粒尺寸及较小的禁带宽度,具有良好的电催化活性，大大提高了光催化性能，且制备工艺简单，适用于对量子点的研究推演，也适用于小尺寸纳米尺寸下的钼酸锶理论研究与应用。实验证明，本发明具有1～5nm大小的粒子尺寸结构或1nm宽度的纳米线结构，并且禁带宽度降低了0.2～1eV，禁带宽度为2.6～3.6eV,更好地提升了光催化剂的性能。
摘要：本发明公开了一种可掺杂的钼酸锶纳米材料制备方法，由有机金属锶盐和有机金属钼盐在高纯氮气保护气氛下，在60℃～180℃下反应6～8小时，得到纯相钼酸锶。本发明可掺杂的钼酸锶纳米材料比常规方法制备的钼酸锶具有极小的晶粒尺寸及较小的禁带宽度,具有良好的电催化活性，大大提高了光催化性能，且制备工艺简单，适用于对量子点的研究推演，也适用于小尺寸纳米尺寸下的钼酸锶理论研究与应用。实验证明，本发明具有1～5nm大小的粒子尺寸结构或1nm宽度的纳米线结构，并且禁带宽度降低了0.2～1eV，禁带宽度为2.6～3.6eV,更好地提升了光催化剂的性能。
