[00335726]一种碳包覆的中空二硫化钼多面体材料的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
类型：
发明专利
技术成熟度：
通过小试
专利所属地：中国
专利号：CN201710505838.X
交易方式：
资料待完善
联系人：
福建师范大学
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所在地：福建福州市
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资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
摘要：本发明是一种利用水热法制备碳包覆中空二硫化钼多面体材料的方法。该方法先将钼源、硫氰酸钾、氟化钠按0.8～1.53.5～4.25.5～6.5摩尔比溶于无水乙醇和去离子水的混合溶液中。然后加入适量可溶性碳的化合物，充分搅拌后得到悬浊液。接着将所得的悬浊液移入反应釜中，在200～240℃下反应12～36小时。对所得溶液进行离心、洗涤、干燥，最后在氮气或氩气气氛下于400～700℃烧结2～4小时，冷却后得到碳包覆中空二硫化钼多面体材料的复合产物。本发明制备的多面体材料，结构稳定，电子传输能力强，改善了大电流充放电性能和循环稳定性。该方法工艺过程简单、设备要求低且合成成本低。
摘要：本发明是一种利用水热法制备碳包覆中空二硫化钼多面体材料的方法。该方法先将钼源、硫氰酸钾、氟化钠按0.8～1.53.5～4.25.5～6.5摩尔比溶于无水乙醇和去离子水的混合溶液中。然后加入适量可溶性碳的化合物，充分搅拌后得到悬浊液。接着将所得的悬浊液移入反应釜中，在200～240℃下反应12～36小时。对所得溶液进行离心、洗涤、干燥，最后在氮气或氩气气氛下于400～700℃烧结2～4小时，冷却后得到碳包覆中空二硫化钼多面体材料的复合产物。本发明制备的多面体材料，结构稳定，电子传输能力强，改善了大电流充放电性能和循环稳定性。该方法工艺过程简单、设备要求低且合成成本低。
