X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
帮助中心 | 关于我们
欢迎来到辽阳市科技创新服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00337658]三维结构聚吡咯微电极及其制造方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他机械

类型: 发明专利

技术成熟度: 通过中试

专利所属地:中国

专利号:CN101950685A

交易方式: 资料待完善

联系人: 清华大学

进入空间

所在地:北京北京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

本发明公开了属于微电子机械制造技术领域的应用于微型超级电容器的一种三维结构聚吡咯微电极及其制造方法。该微电极采用MEMS技术在铜基片表面涂制一层SU-8环氧基负型化学放大胶膜,通过甩胶、前烘、光刻工艺处理、曝光、后烘、显影、漂洗和硬烘工艺,在铜基片表面形成由SU-8胶构成的呈阵列排布的柱状结构,并在铜基片和微柱阵列微电极表面覆盖一层由聚吡咯及导电性材料构成功能薄膜;本发明解决了普通聚吡咯二维平面结构电极无法储存大量电荷且内阻偏高等问题,进而达到了改善微型超级电容器储能特性和大电流放电特性。使用本发明的微型超级电容器,在传感器网络节点电源、微型机器人驱动电源、引信电源领域具有广泛的应用前景。
本发明公开了属于微电子机械制造技术领域的应用于微型超级电容器的一种三维结构聚吡咯微电极及其制造方法。该微电极采用MEMS技术在铜基片表面涂制一层SU-8环氧基负型化学放大胶膜,通过甩胶、前烘、光刻工艺处理、曝光、后烘、显影、漂洗和硬烘工艺,在铜基片表面形成由SU-8胶构成的呈阵列排布的柱状结构,并在铜基片和微柱阵列微电极表面覆盖一层由聚吡咯及导电性材料构成功能薄膜;本发明解决了普通聚吡咯二维平面结构电极无法储存大量电荷且内阻偏高等问题,进而达到了改善微型超级电容器储能特性和大电流放电特性。使用本发明的微型超级电容器,在传感器网络节点电源、微型机器人驱动电源、引信电源领域具有广泛的应用前景。

推荐服务:

主办单位:辽阳市科学技术局

技术支持单位:科易网

辽ICP备16017206号-1

辽公网安备 21100302203138号

关于我们

平台简介

联系我们

客服咨询

400-649-1633

工作日:08:30-21:00

节假日:08:30-12:00

13:30-17:30