[00338074]一种PIN二极管及其制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种PIN二极管及其制备方法，所述PIN二极管包括依次层叠的第一电极、衬底、外延层、p型材料层和第二电极；其中，所述衬底为n型高掺杂的氧化镓衬底；所述外延层为n型低掺杂的氧化镓外延层。利用p型材料层、外延层以及衬底组成异质结，从而解决了现有的氧化镓材料由于很难实现p型掺杂而用于制作半导体器件时伴随的高技术难度以及高成本的问题。且由于氧化镓材料具有优异的半导体特性，制作出的PIN二极管在高频电子器件等领域具有重要的应用前景。