[00341506]硅基高速光电探测器

　　一、项目简介

　　硅基高速光电探测器是光纤通信及硅基 片上光通信系统的核心器件，主要用于接收 高速的光信号，并将光信号转化为电信号。 目前IH-V族光电探测器在市场上仍占主导 地位，但是随着硅基错材料外延生长技术的 突破和硅基光电子技术的快速发展，硅基高 速探测器的性能显著提高。

　　相比于IH-V族器件，硅基高速探测器完 全兼容硅的CMOS工艺，可以借助硅的工艺 线，实现大规模、低成本制造，具有明显的 优势。项目组经过十多年的研究，开发出了 制备硅基高速光电探测器的全套技术，涵盖 硅基异质结构材料外延生长、器件制备工艺、 测试和封装等。

　　　　

二、 技术特点

　　错硅波导探测器暗电流＜100nA；光响应 完全覆盖O、C波段和部分L波段；光响应 度＞0。7A/W@1310nm，＞0。8A/W@1550nm， ＞0。4A/W@1580nm，3-dB 带宽＞30GHz；光接 收速率可达到64Gb/s。

　　错硅面入射探测器暗电流＜100nA，光响 应完全覆盖 O 和 C 波段；光响应 度＞0。6A/W@1310nm，＞0。3A/W@1550nm， 3-dB带宽〉40GHz；光接收速率可达到64Gb/s。

　　三、 专利情况

　　半导体所已申请硅基光电探测器及其材 料生长相关的国家发明专利5项，其中授权 3项。

　　四、 应用领域及市场前景

　　中国是全球最大光通信市场，在光通信 器件领域，约占全球30%市场份额。随着运 营商骨干网全面升级、宽带到户、数据中心、 移动5G等多方面的共同驱动下，国家对各类 光电芯片的需求日益旺盛。权威机构预测中 国光通信市场规模在2020年将达到30亿美 元，其中光探测占比可达到约30%。

　　五、 合作方式

　　技术转让、技术服务。