[00356319]电力电子器件高压化及其关键技术研发
交易价格:
面议
所属行业:
电力
类型:
非专利
交易方式:
资料待完善
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
该项目研究的主要内容是通过利用计算机技术对电力电子器件的结构进行科学设计,通过采用改进半导体掺杂技术、硅片减薄技术、高压器件台面造型技术等新技术的应用研制出工作电压高于4000V,通态电压低于2.0V的晶闸管类器件。主要技术包括器件优化设计技术、最小长基区选取技术、改进扩散技术、高压器件生产清洗技术、硅片减薄技术、高压台面造型技术等。该类技术主要应用于高等级高电压的晶闸管、整流管、快速晶闸管,以及其芯片的生产,也可以应用于一般电压电力电子器件的生产过程,有利于提高成品率、参数一致性及器件的可靠性。技术的关键点:高电压器件结构的计算机优化设计技术、改进半导体掺杂制造PN结技术、高电压器件台面造型及保护技术等。需要解决的关键技术是通过结构的改进设计与实现以及采用硅片减薄加P+扩散等手段的采用,解决为提高器件工作电压而加厚硅片、提高单晶电阻率面引起通态电压增大的矛盾,解决上述因素对控制参数的影响。
该项目研究的主要内容是通过利用计算机技术对电力电子器件的结构进行科学设计,通过采用改进半导体掺杂技术、硅片减薄技术、高压器件台面造型技术等新技术的应用研制出工作电压高于4000V,通态电压低于2.0V的晶闸管类器件。主要技术包括器件优化设计技术、最小长基区选取技术、改进扩散技术、高压器件生产清洗技术、硅片减薄技术、高压台面造型技术等。该类技术主要应用于高等级高电压的晶闸管、整流管、快速晶闸管,以及其芯片的生产,也可以应用于一般电压电力电子器件的生产过程,有利于提高成品率、参数一致性及器件的可靠性。技术的关键点:高电压器件结构的计算机优化设计技术、改进半导体掺杂制造PN结技术、高电压器件台面造型及保护技术等。需要解决的关键技术是通过结构的改进设计与实现以及采用硅片减薄加P+扩散等手段的采用,解决为提高器件工作电压而加厚硅片、提高单晶电阻率面引起通态电压增大的矛盾,解决上述因素对控制参数的影响。