[00360558]双发射白光量子点复合量子点发光二极管高效绿色照明应用
交易价格:
面议
所属行业:
类型:
非专利
技术成熟度:
通过中试
交易方式:
技术转让
其他
联系人:柯安星
所在地:福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本参赛项目拟使用量子点发光二极管(QLED)激发新型M惨杂双发射白光半导体量子点实现绿色白光照明(图1)。QLED是相对于GaN基发光二极管的新一代照明技术,具有发光范围可调、可溶液加工、可大面积制备等优点。截至目前,QLED的外量子效率已>20%,亮度>105cd/m2,寿命>106h,符合商业化器件的要求。Mn掺杂双发射白光半导体量子点主要借助M们的惨杂荧光、半导体的本征荧光及缺陷荧光实现白光发射.在该材料中,半导体宿主材料有众多的选择,比如-V族及钙钛矿等.M们属于过渡金属,具有丰富的储量。在该类型材料中,荧光与吸收存在较大的Stoks位移(~40nm),自吸收较小,并目该类型荧光量子产率可以做到50%以上,薄膜量子产率较高,结合QLD与双发谢M掺杂量子点,整个白光器件制备可以采用全溶液过程,潜在制备相对成本较低。
本参赛项目拟使用量子点发光二极管(QLED)激发新型M惨杂双发射白光半导体量子点实现绿色白光照明(图1)。QLED是相对于GaN基发光二极管的新一代照明技术,具有发光范围可调、可溶液加工、可大面积制备等优点。截至目前,QLED的外量子效率已>20%,亮度>105cd/m2,寿命>106h,符合商业化器件的要求。Mn掺杂双发射白光半导体量子点主要借助M们的惨杂荧光、半导体的本征荧光及缺陷荧光实现白光发射.在该材料中,半导体宿主材料有众多的选择,比如-V族及钙钛矿等.M们属于过渡金属,具有丰富的储量。在该类型材料中,荧光与吸收存在较大的Stoks位移(~40nm),自吸收较小,并目该类型荧光量子产率可以做到50%以上,薄膜量子产率较高,结合QLD与双发谢M掺杂量子点,整个白光器件制备可以采用全溶液过程,潜在制备相对成本较低。