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[00360558]双发射白光量子点复合量子点发光二极管高效绿色照明应用

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 非专利

技术成熟度: 通过中试

交易方式: 技术转让 其他

联系人:柯安星

所在地:福建厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本参赛项目拟使用量子点发光二极管(QLED)激发新型M惨杂双发射白光半导体量子点实现绿色白光照明(图1)。QLED是相对于GaN基发光二极管的新一代照明技术,具有发光范围可调、可溶液加工、可大面积制备等优点。截至目前,QLED的外量子效率已>20%,亮度>105cd/m2,寿命>106h,符合商业化器件的要求。Mn掺杂双发射白光半导体量子点主要借助M们的惨杂荧光、半导体的本征荧光及缺陷荧光实现白光发射.在该材料中,半导体宿主材料有众多的选择,比如-V族及钙钛矿等.M们属于过渡金属,具有丰富的储量。在该类型材料中,荧光与吸收存在较大的Stoks位移(~40nm),自吸收较小,并目该类型荧光量子产率可以做到50%以上,薄膜量子产率较高,结合QLD与双发谢M掺杂量子点,整个白光器件制备可以采用全溶液过程,潜在制备相对成本较低。
本参赛项目拟使用量子点发光二极管(QLED)激发新型M惨杂双发射白光半导体量子点实现绿色白光照明(图1)。QLED是相对于GaN基发光二极管的新一代照明技术,具有发光范围可调、可溶液加工、可大面积制备等优点。截至目前,QLED的外量子效率已>20%,亮度>105cd/m2,寿命>106h,符合商业化器件的要求。Mn掺杂双发射白光半导体量子点主要借助M们的惨杂荧光、半导体的本征荧光及缺陷荧光实现白光发射.在该材料中,半导体宿主材料有众多的选择,比如-V族及钙钛矿等.M们属于过渡金属,具有丰富的储量。在该类型材料中,荧光与吸收存在较大的Stoks位移(~40nm),自吸收较小,并目该类型荧光量子产率可以做到50%以上,薄膜量子产率较高,结合QLD与双发谢M掺杂量子点,整个白光器件制备可以采用全溶液过程,潜在制备相对成本较低。

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