[00363884]CDTE多晶薄膜太阳电池

该成果包含两个方面的技术关键：CdTe太阳电池的结构设计；CdTe太阳电池的制备技术。CdTe电池的基本结构是n-CdS/P-CdTe异质结。作为一个完整的器件，结构设计的主要内容是：选用透明导电膜，确定窗口层n-CdS的厚度与费米能级，确定吸收层p-CdTe的厚度，确定背电极材料。其中一个重要的创新是，提出用复合背接触层ZnTe/ZnTe：Cu以形成新的CdTe电池的结构，即n-CdS/P-CdTe/P-ZnTe/P<'+>-ZnTe：Cu。这一新结构已获得中国发明专利，实验表明，该复合背接触层能有效地提高电池的效率，其幅度达40-50％。CdTe电池的制备技术主要由三种半导体薄膜的制备及后处理技术组成CdS多晶薄膜的化学浴沉积及热处理，CdTe多晶薄膜的近空间升华沉积及CdCl<,2>处理，ZnTe/ZnTe：Cu复合层的共蒸发沉积极及退火。在这方面的创新有：在制备CdS薄膜技术中，确定了新的制备配方；在制备CdTe薄薄技术中，提出了制备CdTe源的新方法，在制备ZnTe复合背接触层的技术中，系统地掌握了所发现的掺铜碲化锌反常电导行为，从而提出了后处理方法。用上述两方面的关键技术，已取得CdTe电池的转换效率如下：0.5cm<'2>的面积达11.6％；0.071cm<'2>达12.5％。