[00641866]高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺
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技术详细介绍
一种高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺属于太阳能应用领域。该发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：前道化学预处理；半导体PN结制作；电感耦合等离子刻蚀周边；淀积氮化硅薄膜；丝网印刷正、背面电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。该发明简化了太阳电池工艺、将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了成本，提高了太阳电池效率。采用该工艺，可获得商业化大面积(103×103mm<'2>)单晶硅太阳电池的效率达15.7%，该工艺也适用于多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率可达14.0%以上，(AM1.5，光照强度100mW/cm<'2>，25℃)。市场前景：市场前景和效益分析都非常好，具体分析可在项目立项前调研。转让方式与条件：面议。