[00655519]高质量大尺寸自支撑GaN衬底技术
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技术详细介绍
伴随着第三代半导体材料氮化镓的突破和蓝、绿、白光发光二极管的问世，与人类息息相关的照明领域正孕育着一场巨大的变革-半导体灯逐步取代白炽灯和荧光灯。一旦它成为现实，其意义不亚于爱迪生发明白炽灯。氮化镓基蓝、绿光LED在光显示及未来的白光照明领域具有广阔的应用前景。GaN材料由于合适衬底的缺乏，难以实现低的缺陷密度，限制了其在光电子器件和电子器件中的进一步应用。因此GaN衬底的研制是氮化物研究中的一大热点，其中一条技术路径是厚膜GaN外延及剥离。氢化物气相外延法由于具有生长速度快的特点而用于外延厚膜GaN，也倍受关注。南京大学物理系通过承担国家“863”计划的研究已经掌握有大尺寸低位错密度GaN横向外延技术、大尺寸GaN厚膜均匀生长技术和大尺寸GaN外延层/衬底激光剥离技术，研制了超过1.5英寸的高质量自支撑GaN衬底，厚度超过600μm，生长速率超过80μm/h，位错密度低于10<'6>cm<'-2>。申请GaN生长设备、工艺等方面的国家发明专利若干项。