[00661771]制备纳米带和星形纳米材料的方法
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技术详细介绍
随着电子科技的高速发展,纳米材料的应用范围越来越广泛,其中纳米带和星形纳米材料是制作纳米器件的关键材料。目前普遍利用硫化物粉末(硫化锌,硫化镉等)在真空蒸发腔高温蒸发制备纳米带和纳米星形材料,加热(电加热或激光加热)温度为1200℃左右,ZnS或CdS蒸汽在基底上凝聚形成纳米带,纳米星形材料。为保证取得较好的效果,有时在实验过程中还需要加入H2等还原气体。这种纳米带和星形纳米材料的制备方法的缺点是:1、将ZnS,CdS粉体在真空中高温蒸发或激光溅射,需要真空环境和高温(或激光),设备昂贵;2、反应时间长,通常需要1-4小时。该发明(申请号20041004751.4)公开了一种快速制备纳米带和星形纳米材料的方法。与现有技术相比,该发明反应温度低、成本少、反应时间短。用该发明的制备方法可以制备大量的硫化物纳米带和星形纳米材料。由于纳米材料是将来微型器件的必备材料,该发明为将来对硫化物纳米带和星形纳米材料的制备起重要作用,是一种具有极大经济价值和实用价值的纳米带和星形纳米材料的制备方法。将来的市场前景广阔。利用该发明制备材料的工艺非常简单,制备材料的成品率很高,需要的设备简单,原材料便宜,可以制备高附加值的纳米材料。
随着电子科技的高速发展,纳米材料的应用范围越来越广泛,其中纳米带和星形纳米材料是制作纳米器件的关键材料。目前普遍利用硫化物粉末(硫化锌,硫化镉等)在真空蒸发腔高温蒸发制备纳米带和纳米星形材料,加热(电加热或激光加热)温度为1200℃左右,ZnS或CdS蒸汽在基底上凝聚形成纳米带,纳米星形材料。为保证取得较好的效果,有时在实验过程中还需要加入H2等还原气体。这种纳米带和星形纳米材料的制备方法的缺点是:1、将ZnS,CdS粉体在真空中高温蒸发或激光溅射,需要真空环境和高温(或激光),设备昂贵;2、反应时间长,通常需要1-4小时。该发明(申请号20041004751.4)公开了一种快速制备纳米带和星形纳米材料的方法。与现有技术相比,该发明反应温度低、成本少、反应时间短。用该发明的制备方法可以制备大量的硫化物纳米带和星形纳米材料。由于纳米材料是将来微型器件的必备材料,该发明为将来对硫化物纳米带和星形纳米材料的制备起重要作用,是一种具有极大经济价值和实用价值的纳米带和星形纳米材料的制备方法。将来的市场前景广阔。利用该发明制备材料的工艺非常简单,制备材料的成品率很高,需要的设备简单,原材料便宜,可以制备高附加值的纳米材料。