[00712580]新型半导体光电子材料与器件-硅基锗硅超晶格、量子阱、异质结构材料与器件

Si基SiGe超晶格量子阱的问世，开创了Si材料人工设计新纪元，开拓了Si基异质结构材料在光电子和高速微电子技术上的重要应用，成为近年国际研究热点。南京大学物理系张荣教授在这方面的主要学术贡献有：创新发展了快速辐射加热超低压化学气相淀积GeSi原子级外延方法，研制出计算机实时控制的RTP/VLP-CVD材料生长系统；提出利用氢抑制GeSi外延生长Ge分凝的方法，解决了因Ge分凝导致SiGe/Si生长界面模糊的重大技术难点，使Gesi外延提高到新的水平；首次用超低压CVD生长出GeSi/Si应变层超品格材料，制备出高质量GeSi/Si量予阱材料，观察到对应予带间跃迁的红外光谱；首次发展了GeSi/Si超品格多入射角椭偏光学表征方法；首次观察到SiGe/Si应变超晶格SiGe合金层有序化新结构；在国内首次研制出SiGe-HBT器件；8-12m SiGe/Si内光电发射红外探测器。该项成果发表学术论文40余篇，获得/申请国家发明专利5项，通过省部级科技成果鉴定3项，获国家技术发明三等奖1项，国家教委科技进步奖二等奖1项，江苏省科技进步奖二等奖1项，论文被广泛引用。