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[00719760]溶液法制备高性能硒氧化铋柔性薄膜和器件

交易价格: 面议

所属行业: 基础化学

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

联系人:柯安星

所在地:北京北京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

高迁移率二维半导体 因其独特的材料性能有望用于 构筑 后硅 电子学器件 。与典型的体相半导体相比,二维半导体 薄膜 的原子级厚度 除了可有效抑制短沟道效应外,还兼具 良好的 柔性, 这使其 在柔性显示和集成电路 等领域 具有广阔的应用前景。 目前,虽然大量的二维半导体材料体系相继被开发出来,但高迁移率二维半导体薄膜 便捷 制备 方法 及其 高性能柔性器件的 构筑手段依然缺乏,阻碍了它们的实际应用。例如,通过化学气相沉积或溶液法合成的过渡金属二硫化物(如 MoS 2 )薄膜通常具有相对较低的迁移率( <10 cm 2 / Vs )。 此外,在柔性基底上构筑高性能柔性器件仍具挑战

高迁移率二维半导体 因其独特的材料性能有望用于 构筑 后硅 电子学器件 。与典型的体相半导体相比,二维半导体 薄膜 的原子级厚度 除了可有效抑制短沟道效应外,还兼具 良好的 柔性, 这使其 在柔性显示和集成电路 等领域 具有广阔的应用前景。 目前,虽然大量的二维半导体材料体系相继被开发出来,但高迁移率二维半导体薄膜 便捷 制备 方法 及其 高性能柔性器件的 构筑手段依然缺乏,阻碍了它们的实际应用。例如,通过化学气相沉积或溶液法合成的过渡金属二硫化物(如 MoS 2 )薄膜通常具有相对较低的迁移率( <10 cm 2 / Vs )。 此外,在柔性基底上构筑高性能柔性器件仍具挑战

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