[00735466]硅衬底GaN基发光二极管

该项目属于LED技术领域具有节能环保意义的LED照明产业，是国内外重点发展的战略性新兴产业。为使中国LED产业从根本上避开与国际上原有的二条技术路线发生专利纠纷，并从本质上降低LED照明芯片制造成本，该项目经过近9年的技术攻关和生产实践，发明和不断完善了第三条LED照明技术路线，在国际上率先成功研制和生产了硅衬底GaN基发光二极管，对LED照明这一战略性新兴产业的发展具有重大推动作用。项目主要发明有(1)硅衬底开槽外延技术，并在该基础上发展了多层缓冲结构，成功地解决了硅衬底上GaN外延层龟裂这一难题，制备出高质量的硅衬底GaN材料。(2)外延层转移技术和互补电极技术，制备出高取光效率的硅衬底LED。(3)双面钝化、GaN台面湿法去边、高击穿电压外延层结构等技术。制备出高可靠性的硅衬底LED。发明技术应用单位生产的硅衬底LED二极管，发光效率、可靠性与器件寿命等各项指标在同类研究中均处于国际领先水平。该项目已经获得授权的国内外发明专利42项，其中中国发明专利27项，美国发明专利13项，欧洲发明专利2项。项目产品已得到10多个省市340多家单位的应用，经济效益和社会效益显著。该项目发明的硅衬底GaN基LED制造系列技术，冲破了日美等发达国家形成的LED专利壁垒，对中国LED产业发展具有重大意义。