[00741610]离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料
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技术详细介绍
离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料是将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keY的能量注入磁性离子，然后在850～900℃、NH<,3>气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入，将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长技术相比，该成果能够实现较高的离子掺杂浓度，因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。