[00780992]多功能半导体汞探针测试装置
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技术详细介绍
该成果用于半导体表面、界面、薄膜的非破坏性检测，可以完成：１．肖特基结ＣＶ法测量，测得半导体中掺杂浓度的纵向分布，汞－半导体接触势垒高度。２．ＭＩＳ结构的ＣＶ法测量，确定介质膜厚度、介电系数衬底材料表层掺杂浓度，介质膜（ＳｉＯ2 、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3等）内电荷密度，测出它们在膜内部的纵向分布，测量半导体－介质膜界面态陷阱密度，硅中少子产生寿命和表面产生速度。３．测量ＣＶＤ ＰＶＤ薄膜的电阻率以及光敏特性，还可检测平整度、抛光质量、掺氯氧化膜的负偏压不稳定性，电荷的横向效应，等离子、注入等工艺的界面损伤，双层介质应力等。