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技术详细介绍
该课题组创新发展的快速辐射加热，超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)方法是一种新型的原子级外延方法，达到国际先进水平，建立的全计算机控制的RRH/VLP-CVD系统具有比现有各种CVD设备更多，更强的功能。现拟利用该种设备生长GeSi量子阱、异质结构材料，和有关单位合作开发以下器件：高速GeSi晶体管和集成电路，利用GeSi作基区制成的新型器件GeSiHBT具有优异的高频和低温性能，f<,T>=75GHz，77K下β=1000，可制成高速晶体管和集成电路，具有广泛的应用前景。新型GeSi红外探测器，利用GeSi材料制备的红外探测器，在遥控波段0.93μm有强烈的光响应性能，远优于现普遍采用的SHARP探测器，可用于电视机、录相机等的遥控。材料生长方法和设备已申请国家专利(申请号：901056030)并于1991.6.24通过国家科委主持的鉴定。