[00811043]紫外光CVD低温法介质膜制备新工艺的研究及其应用
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技术详细介绍
该成果研制了可使用液态源的低温光ＣＶＤ薄膜淀积系统，在低温（低于２００℃）条件下，光化学气相淀积了氮化硅、二氧化硅和二氧化钛薄膜，并研究了这几种薄膜淀积参数与薄膜各项理化特性的关系；特别是在国内首先开发了无汞敏化光ＣＶＤ技术，利用低压汞灯对ＴｉＣ１＜，４＞＋Ｏ＜，２＞或ＳｉＨ＜，４＞＋Ｏ＜，２＞混合气体进行紫外光辐照，在低温下制备出质量良好的ＴｉＯ＜，２＞和ＳｉＯ＜，２＞薄膜，使各项物理特性击穿特性和漏电特性得到明显改善，获得了较高的淀积速率，降低了工艺污染。此外，还利用这种低温介质膜在硅半导体场效应器件上进行钝化，效果明显，显示了良好的工业应用前景。