[00832504]高效单结pin型微晶硅薄膜太阳电池
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技术详细介绍
采用VHF-PECVD技术系统研究了硅烷浓度、反应气压、辉光功率、衬底温度和衬底材料对沉积速率、结构特性和光电特性的影响，建立了比较完整的器件质量级微晶硅材料的表征体系以及达到器件质量级微晶硅材料的制备参数；用SnO2/ZnO和溅射后湿法腐蚀ZnO两种不同衬底制备了电池，结果发现衬底的结构对电池的性能参数有很大影响，这一结果对制备高效率微晶硅太阳电池具有重要意义；得到了沉积参数与电池性能之间的变化关系；采用VHF-PECVD技术，制备出电池面积0.253cm2的单结微晶硅薄膜太阳电池。该成果与硅薄膜生产线工艺技术兼容，可直接服务于生产，提高硅薄膜电池产品质量、降低制造成本，推动我国光伏发电的大规模应用。