[00838675]硫化镉薄膜的干法沉积技术
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技术详细介绍
该成果包含两种硫化镉薄膜的干法沉积技术：磁控溅射技术和近空间升华技术。磁控溅射技术包括CdS薄膜沉积时气氛、气压的选择，衬底温度的控制、靶材功率的控制。通过调整气氛中氩气和氧气的比例可以获得不同晶粒大小的弱n型CdS多晶薄膜，严格地控制功率和沉积时间，可以获得厚度从几十纳米到几百纳米的均匀的薄膜。近空间升华技术包括CdS源的制备技术和CdS薄膜的沉积技术。后者主要包括沉积过程中源温度和衬底温度的控制，气体的组成及气压的选取，沉积参数与薄膜厚度的关系等这两种技术均属于干法沉积技术，在避免了湿法沉积的废液处理对环境带来不利影响的同时，又能制备出致密、均匀的符合薄膜太阳电池窗口层需要的CdS多晶薄膜。两种方法制备的硫化镉作为碲化镉薄膜太阳电池的窗口层，和化学浴方法有相同的效果。该成果可以使用于年产10兆瓦以上的碲化镉薄膜太阳电池组件生产线中窗口层沉积的工序，投资规模大约为500万元。