[00838812]采用W-CuO粉末制备铜钨触头材料的方法
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技术详细介绍
技术说明:1.一种采用W-CuO粉末制备铜钨触头材料的方法,其特征在于该方法按以下步骤进行:a.球磨:将CuO粉末放入球磨机中进行球磨,使其平均粒度达到10~30nm;b.混料:取平均粒度为80~100nm的W粉,加入上步球磨过的CuO粉末,CuO的加入量为W粉重量的9%~15%,将该混合粉末放入高能球磨机中进行混料;c.还原:把上步处理后的混合粉末用氢气进行还原,氢气流量0.08l/min,升温速率为15℃/min,将CuO与W的混合粉末还原成Cu与W的混合粉末;d.烧结熔渗:将上步得到的Cu与W的混合粉末压坯、温度800℃~1000℃下烧结1小时,温度1200℃~1400℃下熔渗铜1~4小时,即制得铜钨触头材料。应用前景:本发明公开的采用W-CuO粉末制备铜钨触头材料的方法,采用CuO粉末球磨后,与纳米W粉在高能球磨机上进行混料,再将混合粉末用氢气还原得到Cu-W复合粉末,最后将Cu-W复合粉末压制成型、烧结熔渗后制得铜钨触头材料。本发明的制备方法,使W骨架的孔隙得到细化,还保持了一定的强度,不仅工艺简单、成本低,而且所制备的铜钨触头材料的耐电弧击穿性能得到了提高。
技术说明:1.一种采用W-CuO粉末制备铜钨触头材料的方法,其特征在于该方法按以下步骤进行:a.球磨:将CuO粉末放入球磨机中进行球磨,使其平均粒度达到10~30nm;b.混料:取平均粒度为80~100nm的W粉,加入上步球磨过的CuO粉末,CuO的加入量为W粉重量的9%~15%,将该混合粉末放入高能球磨机中进行混料;c.还原:把上步处理后的混合粉末用氢气进行还原,氢气流量0.08l/min,升温速率为15℃/min,将CuO与W的混合粉末还原成Cu与W的混合粉末;d.烧结熔渗:将上步得到的Cu与W的混合粉末压坯、温度800℃~1000℃下烧结1小时,温度1200℃~1400℃下熔渗铜1~4小时,即制得铜钨触头材料。应用前景:本发明公开的采用W-CuO粉末制备铜钨触头材料的方法,采用CuO粉末球磨后,与纳米W粉在高能球磨机上进行混料,再将混合粉末用氢气还原得到Cu-W复合粉末,最后将Cu-W复合粉末压制成型、烧结熔渗后制得铜钨触头材料。本发明的制备方法,使W骨架的孔隙得到细化,还保持了一定的强度,不仅工艺简单、成本低,而且所制备的铜钨触头材料的耐电弧击穿性能得到了提高。