[00859428]液封直拉GaAs单晶拉直中杂质和缺陷的控制
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技术详细介绍
该课题通过大量实验，澄清了非掺杂LECGaAs单晶中主要的C源、C的沾污途径和机理，根据C源、沾污途径和相关化学反应研究结果，提出了抑制C沾污的工艺措施；利用加屏蔽罩和增加液封剂厚度的方法使晶体生长后的冷却过程中热应力峰降低且后移，出现在温度更低的区域，有效降低了位错密度，并改善了深本征施主EL2分布均匀性的工艺，可大幅度改善EL2分布均匀；该项目对拉制高质量的非掺杂半绝缘LECCaAs单晶体具有重要的实用价值，具有推广应用前景。该项目居国际先进水平。