[00873037]GAN基蓝光材料生长及LED器件的研制

该项目突破了7项关键技术，在国内首次研制成功紫外发光二极管，生长了InGaN蓝色LED外延材料，生长了InGaN绿色LED外延材料，积累了在Al<,2>O<,3>衬底上MOCVD生长N型GaN、P型GaN和InGaN及其多层结构的材料生长经验，为项目产业化奠定了良好的技术基础和实用经验。与传统以气体放电的紫外光源相比，紫外发光二极管(波长小于390nm)，是一种全新的半导体光电器件，具有单色性好、体积小、寿命长、响应速度快、可靠性高等特点，是对紫外光源的一次革命。国际上尚未见产品，其市场有待开发。它将替代传统的紫外光源，在防伪检测、分析仪器、医疗诊断与治疗以及国防建设(紫光耦合器件)等方面发挥独特的优势，市场前景广阔，可产生巨大的经济、社会效益。目前，有许多单位争相投资该项目，在南昌，GaN基发光材料与发光器件生产基地正在形成。上游由4方(深圳方大集团、香港俊佳集团、南昌大学和南昌746厂)合作成立了股份有限公司，投资2000万元进行产业化运作。其中该项目蓝色发光材料成果以技术入股，占20％的股份。中游由南昌746厂欣磊公司承担，江西省拨入400万元用于芯片产业化中试。