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[00878924]采用新型自耦合射流激发器的非对称大膨胀比喷管研究

交易价格: 面议

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类型: 非专利

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技术详细介绍

研究了三种类型共十余套压电陶瓷激振的自耦合射流激发器,研究自耦合射流激发器参数配置与自耦合射流性能的相互关系,完成单一自耦合射流与平面主气流的垂直布置和平行布置的矢量偏转实验研究。进行了相对布置的双自耦合射流与平面主气流的相干实验研究,完成了最大推力非对称大膨胀比喷管的理论研究和模型设计,完成了不带任何控制的非对称大膨胀比喷管压比3~11的实验研究,同时探索了非对称大膨胀比喷管低压比下的流场控制方法。在垂直布局的条件下,自耦合射流使20m/s的主流产生了17度的矢量偏转;在平行布局的条件下,利用自耦合射流在出口缝两侧的低压区及涡环的卷吸作用,使5m/s量级的主流产生了最大接近45度的矢量偏转。实验发现在平行布局方式中主喷流的偏转角与自耦合射流和主喷流之间的相对位置有关,而利用自耦合射流控制非对称大膨胀比喷管分离区的设想未能达到目标。
研究了三种类型共十余套压电陶瓷激振的自耦合射流激发器,研究自耦合射流激发器参数配置与自耦合射流性能的相互关系,完成单一自耦合射流与平面主气流的垂直布置和平行布置的矢量偏转实验研究。进行了相对布置的双自耦合射流与平面主气流的相干实验研究,完成了最大推力非对称大膨胀比喷管的理论研究和模型设计,完成了不带任何控制的非对称大膨胀比喷管压比3~11的实验研究,同时探索了非对称大膨胀比喷管低压比下的流场控制方法。在垂直布局的条件下,自耦合射流使20m/s的主流产生了17度的矢量偏转;在平行布局的条件下,利用自耦合射流在出口缝两侧的低压区及涡环的卷吸作用,使5m/s量级的主流产生了最大接近45度的矢量偏转。实验发现在平行布局方式中主喷流的偏转角与自耦合射流和主喷流之间的相对位置有关,而利用自耦合射流控制非对称大膨胀比喷管分离区的设想未能达到目标。

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