[00890188]纳米硅二极管
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非专利
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技术详细介绍
该课题研究的纳米硅(nc-Si:H)薄膜是一种由大量硅细微晶粒(仅几个纳米大小)和包围着这些晶粒的晶间界面所组成的新型纳米电子材料。纳米硅薄膜(几个微米厚)中的晶粒是晶态的,晶粒大小为3~8nm,占整个膜层的体积百分比为50%;另外50%体积百分比则是由非晶态的硅原子构成的晶间界面区,其厚度为2~4个原子层。硅晶粒在薄膜中的分布是不规则的。这种新颖的结构使得纳米硅与现有的半导体材料单晶硅和非晶硅(a-Si:H)有着明显的区别并呈现出一系列鲜为人知的特殊性能。利用这一系列特殊性能我们可以用于研制新型的纳米硅器件,并且有可能让我们去开创一门崭新的产业为社会服务。
该课题研究的纳米硅(nc-Si:H)薄膜是一种由大量硅细微晶粒(仅几个纳米大小)和包围着这些晶粒的晶间界面所组成的新型纳米电子材料。纳米硅薄膜(几个微米厚)中的晶粒是晶态的,晶粒大小为3~8nm,占整个膜层的体积百分比为50%;另外50%体积百分比则是由非晶态的硅原子构成的晶间界面区,其厚度为2~4个原子层。硅晶粒在薄膜中的分布是不规则的。这种新颖的结构使得纳米硅与现有的半导体材料单晶硅和非晶硅(a-Si:H)有着明显的区别并呈现出一系列鲜为人知的特殊性能。利用这一系列特殊性能我们可以用于研制新型的纳米硅器件,并且有可能让我们去开创一门崭新的产业为社会服务。