[00890482]硅基发光材料-光电子集成的基础
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技术详细介绍
以硅集成电路为主体的微电子技术是电子计算机和现代信息技术的基础。未来的发展趋势之一是将传速最快的光当作信息载体,发展光电子集成技术,为光电子计算机和新一代的信息技术奠定基础。该项目从多孔硅研究入手,顺应发展趋势,对硅基发光材料开展了全面研究,取得了如下主要成果:开拓了两个硅基发光材料的新分支:硅基多孔SiC蓝光材料:将C离子注入硅,在硅基上制备出发射蓝光的SiC,获得了一种新的蓝光硅基材料。用PECVD法将纳米硅镶嵌于非晶硅形成发光薄膜,进而制成超晶格,不但可以灵活控制发光波长,而且增强了发光稳定性;提出了一项新技术—间接式多孔硅离子束改性:用离子注入控制多孔硅的发光波长、发光强度、发光层厚和制作高精度发光图形,为多孔硅器件工艺奠定了基础;四项有创造性的新成果:国际上最早提供多孔硅微结构高分辨电子显微镜分析结果的两个单位之一。提出了一种新的多孔硅发光理论模型,得出了更符合实际的能态分布。研制了多孔硅镶嵌C〈,60〉,Si,Ge团簇等多种复合材料,丰富了多孔硅基复合材料。研制了SiO〈,2〉镶嵌Ge,Si纳米发光材料,发现了多个发光光谱,特别是有重要应用价值的蓝-紫光光谱。该项目在Phys.Rev.Lett.,Appl.Phys.Lett.,等国内外刊物上发表论文65篇,其中58.5%为SCI收录,被国际著名杂志引用46篇次,获江苏省科技进步奖一等奖。
以硅集成电路为主体的微电子技术是电子计算机和现代信息技术的基础。未来的发展趋势之一是将传速最快的光当作信息载体,发展光电子集成技术,为光电子计算机和新一代的信息技术奠定基础。该项目从多孔硅研究入手,顺应发展趋势,对硅基发光材料开展了全面研究,取得了如下主要成果:开拓了两个硅基发光材料的新分支:硅基多孔SiC蓝光材料:将C离子注入硅,在硅基上制备出发射蓝光的SiC,获得了一种新的蓝光硅基材料。用PECVD法将纳米硅镶嵌于非晶硅形成发光薄膜,进而制成超晶格,不但可以灵活控制发光波长,而且增强了发光稳定性;提出了一项新技术—间接式多孔硅离子束改性:用离子注入控制多孔硅的发光波长、发光强度、发光层厚和制作高精度发光图形,为多孔硅器件工艺奠定了基础;四项有创造性的新成果:国际上最早提供多孔硅微结构高分辨电子显微镜分析结果的两个单位之一。提出了一种新的多孔硅发光理论模型,得出了更符合实际的能态分布。研制了多孔硅镶嵌C〈,60〉,Si,Ge团簇等多种复合材料,丰富了多孔硅基复合材料。研制了SiO〈,2〉镶嵌Ge,Si纳米发光材料,发现了多个发光光谱,特别是有重要应用价值的蓝-紫光光谱。该项目在Phys.Rev.Lett.,Appl.Phys.Lett.,等国内外刊物上发表论文65篇,其中58.5%为SCI收录,被国际著名杂志引用46篇次,获江苏省科技进步奖一等奖。