[00901829]提高沟道长度亚10nm石墨烯TFET性能的方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种提高沟道长度亚10nm石墨烯TFET性能的方法。如何缩短器件的尺寸是场效应晶体管研究的一个重要方向。本发明用应变石墨烯条带代替常规均匀石墨烯条带作导电材料,利用应变石墨烯条带高开关特性、低亚阈值摆幅的优点来补偿沟道长度缩短引起的性能衰减。本发明通过调整跃迁能来模拟施加在石墨烯条带上的应变,通过修改原子坐标来模拟应变对条带结构的改变,并将应变力度调整为4.5％,使器件的开关特性提升了10~3,亚阈值摆幅降低了62％,让其在7nm的沟道长度下也能保持正常功能,缩短了器件的尺寸。