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[00901843]一种CaSnSiO5-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 专用化学

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN202010045173.0

交易方式: 其他

联系人:

所在地:浙江杭州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

本发明公开一种CaSnSiO,5,-K,2,MoO,4,基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成(1-x)CaSnSiO,5,-xK,2,MoO,4,,其中x为质量百分含量(x=20,30,35,40,50,60,70,80,90wt%)。CaSnSiO,5,-K,2,MoO,4,基复合陶瓷微波材料的介电常数(ε,r,)范围为6.764~9.785,品质因数Qf数值的范围为2791GHz~11395GHz,谐振频率温度系数τ,f,的范围为-54.2ppm/℃~+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。
本发明公开一种CaSnSiO,5,-K,2,MoO,4,基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成(1-x)CaSnSiO,5,-xK,2,MoO,4,,其中x为质量百分含量(x=20,30,35,40,50,60,70,80,90wt%)。CaSnSiO,5,-K,2,MoO,4,基复合陶瓷微波材料的介电常数(ε,r,)范围为6.764~9.785,品质因数Qf数值的范围为2791GHz~11395GHz,谐振频率温度系数τ,f,的范围为-54.2ppm/℃~+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。

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主办单位:辽阳市科学技术局

技术支持单位:科易网

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