技术详细介绍
本发明公开一种CaSnSiO,5,-K,2,MoO,4,基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成(1-x)CaSnSiO,5,-xK,2,MoO,4,,其中x为质量百分含量(x=20,30,35,40,50,60,70,80,90wt%)。CaSnSiO,5,-K,2,MoO,4,基复合陶瓷微波材料的介电常数(ε,r,)范围为6.764~9.785,品质因数Qf数值的范围为2791GHz~11395GHz,谐振频率温度系数τ,f,的范围为-54.2ppm/℃~+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。
本发明公开一种CaSnSiO,5,-K,2,MoO,4,基复合陶瓷微波材料及其制备方法,该复合陶瓷的化学通式可以写成(1-x)CaSnSiO,5,-xK,2,MoO,4,,其中x为质量百分含量(x=20,30,35,40,50,60,70,80,90wt%)。CaSnSiO,5,-K,2,MoO,4,基复合陶瓷微波材料的介电常数(ε,r,)范围为6.764~9.785,品质因数Qf数值的范围为2791GHz~11395GHz,谐振频率温度系数τ,f,的范围为-54.2ppm/℃~+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。