[00901864]一种双曲超构材料空腔结构的Casimir-Polder效应分析方法及系统
交易价格:
面议
所属行业:
类型:
发明专利
技术成熟度:
通过小试
专利所属地:中国
专利号:CN202010750717.3
交易方式:
其他
联系人:
所在地:浙江杭州市
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技术详细介绍
本发明属于量子光学技术领域,具体涉及一种双曲超构材料空腔结构的Casimir-Polder效应分析方法,包括如下步骤:建立双曲超构材料空腔结构的模型;确定双曲超构材料的电磁特性;计算共振原子能级频率偏移量及非共振原子能级频率偏移量;计算共振Casimir-Polder势及非共振Casimir-Polder势;计算原子在双曲超构材料空腔结构中的Casimir-Polder力;能够准确地分析双曲超构材料空腔结构中的Casimir-Polder势及Casimir-Polder力,能够分析磁双曲超构材料和电双曲超构材料空腔结构产生Casimir-Polder吸引力以及排斥力的原因,通过调整相应的参数,可以准确的分析Casimir-Polder效应在双曲超构材料空腔结构中的特性。
本发明属于量子光学技术领域,具体涉及一种双曲超构材料空腔结构的Casimir-Polder效应分析方法,包括如下步骤:建立双曲超构材料空腔结构的模型;确定双曲超构材料的电磁特性;计算共振原子能级频率偏移量及非共振原子能级频率偏移量;计算共振Casimir-Polder势及非共振Casimir-Polder势;计算原子在双曲超构材料空腔结构中的Casimir-Polder力;能够准确地分析双曲超构材料空腔结构中的Casimir-Polder势及Casimir-Polder力,能够分析磁双曲超构材料和电双曲超构材料空腔结构产生Casimir-Polder吸引力以及排斥力的原因,通过调整相应的参数,可以准确的分析Casimir-Polder效应在双曲超构材料空腔结构中的特性。